Samsung prezentuje 12-warstwowe pamięci z połączeniem TSV

Samsung opracował nową metodę produkcji wielowarstwowych pamięci NAND Flash i DRAM z użyciem technologii 3D-TSV (Through Silicon Via). Umożliwia ona budowanie stosów pamięci składających się z aż 12 warstw połączonych ze sobą za pomocą 60 tysięcy punktów (dla każdej warstwy). Odstęp pomiędzy poszczególnymi warstwami wynosi 1/20 grubości ludzkiego w…

Powered by WPeMatico